• 衬底：硅、玻璃、介质层等
• 光刻胶：正胶、负胶、干膜
• 最小图形尺寸：1um(接触式光刻) / 0.5um(步进式光刻)
• 套刻精度：0.5um(接触式光刻) / 0.2um(步进式光刻)

• 衬底：硅、玻璃、氧化硅、金属等
• 刻蚀材料：Si、SiO2、SiNx、GaN、GaAs、InP等
• 刻蚀工艺：IBE、RIE、DRIE、ICP等
• 湿法刻蚀：HF、BOE、HCL、KOH、TMAH等

• PECVD、LPCVD、ALD、磁控溅射等
• 非金属：Si、SiO2、SiNx、Al2O3、ITO等
• 金属：Al、Cu、Cr、Ag、Au、Ti等
• 定制化图案，最小线宽/线距1um

掺杂元素：B、P、F、Ar、Al等
• 离子能量：>200keV
• 注入剂量：1011~1016at/cm2
• 注入角度：< 7°
• 高温氧化、高温退火

• 衬底：硅、玻璃等
• 粗糙度：< 1nm
• TTV：< ±5%

• 超声/化学/等离子清洗
• 酸洗、碱性、有机清洗
• 去污、去颗粒、去胶

• 异形切割、通孔、盲孔
• 砂轮切割、激光切割
• 精度< ±0.05mm

• 衬底：硅、玻璃、金属、PDMS等
• 等离子体表面活化，增强黏附
• 亲水/疏水修饰、涂层、图案化

• 硅、玻璃、PDMS、PMMA等及其组合
• 4寸至8寸多尺寸兼容
• 胶键合、阳极键合、热键合等
3、完成领导交办的其他相关任务。

• 光刻掩膜：石英玻璃、苏打玻璃、菲林等
• PDMS、PMMA压铸模具、注塑模具
• 金属模具、键合模具、装配夹具/治具